SI3529DV-T1-E3
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SI3529DV-T1-E3參數(shù)：MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類(lèi)型：N 和 P 溝道
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss)：40V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：2.5A，1.95A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：125 毫歐 @ 2.2A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：7nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：205pF @ 20V
功率 - 最大值：1.4W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：6-TSOP