SI3459BDV-T1-GE3參數(shù)：MOSFET P-CH D-S 60V 6-TSOP
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：2.9A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：216 毫歐 @ 2.2A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：12nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：350pF @ 30V功率 - 最大值：3.3W安裝類型：表面貼裝封裝：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：6-TSOP
