SI3443DVTR參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNObsolescence： Gen8Rev208/Jul/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝：1系列：HEXFET®包裝：剪切帶(CT)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平柵極，2.5V驅(qū)動(dòng)漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：4.4A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：65毫歐@4.4A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：15nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1079pF@10V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：6-LSOP（0.063"，1.60mm寬）供應(yīng)商器件封裝：Micro6?（TSOP-6）
