SI2301BDS-T1-E3參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：2.2A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：100 毫歐 @ 2.8A，4.5V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：10nC @ 4.5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：375pF @ 6V功率 - 最大值：700mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
