SI1926DL-T1-E3
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SI1926DL-T1-E3參數(shù)：MOSF N CH DUAL D-S 60V SC-70-6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：370mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.4 歐姆 @ 340mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1.4nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：18.5pF @ 30V
功率 - 最大值：510mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商器件封裝：SC-70-6