SI1419DH-T1-E3參數(shù)：MOSFET P-CH 200V 300MA SC70-6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：200V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：300mA不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：5 歐姆 @ 400mA，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：6.2nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：1W安裝類型：表面貼裝封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供應(yīng)商器件封裝：SC-70-6
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