RW1C020UNT2R
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RW1C020UNT2R參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：8,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：2A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：105 毫歐 @ 2A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：2nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：180pF @ 10V
功率 - 最大值：700mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-563，SOT-666
供應(yīng)商器件封裝：6-WEMT