RTF010P02TL參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： MOSFETs產(chǎn)品目錄繪圖： TUMT-3PackageTop特色產(chǎn)品： ECOMOS?SeriesMOSFETs標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平柵極，2.5V驅(qū)動漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：1A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：390毫歐@1A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：2.1nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：150pF@10V功率-最大值：800mW安裝類型：表面貼裝封裝：3-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝：TUMT3
