RSM002P03T2L參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓模塊： MOSFETs產(chǎn)品目錄繪圖： 2SK3541,RSM,RTMSeriesVMT-3特色產(chǎn)品： ECOMOS?SeriesMOSFETs標準包裝：8,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平柵極，4V驅動漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：200mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.4歐姆@200mA，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時的輸入電容(Ciss)：30pF@10V功率-最大值：150mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-723供應商器件封裝：VMT3
