RQ1E050RPTR
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RQ1E050RPTR參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平柵極，4V 驅動
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：5A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：31 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：28nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1300pF @ 10V
功率 - 最大值：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TSMT8
供應商器件封裝：TSMT8