RP1H065SPTR
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RP1H065SPTR參數(shù)：MOSFET P-CH 45V 6.5A MPT6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：45V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：6.5A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：31 毫歐 @ 6.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：28nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：3200pF @ 10V
功率 - 最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝：MPT6