RJK2006DPE-00#J3
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RJK2006DPE-00#J3參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：-
包裝：*
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：200V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：40A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：59 mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：43nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1800pF @ 25V
功率 - 最大值：100W
安裝類型：*
封裝：*
供應(yīng)商器件封裝：*