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RDD050N20TL參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 5A CPT3

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品目錄繪圖： CPT-3,D-PAKSeries
特色產(chǎn)品： ECOMOS?SeriesMOSFETs
標準包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：200V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：720毫歐@2.5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：9.3nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：292pF@10V
功率-最大值：20W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應商器件封裝：CPT3