QS6J11TR參數(shù)：MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： MOSFETs標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：2個(gè)P溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：12V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：2A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：105毫歐@2A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：6.5nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：770pF@6V功率-最大值：600mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-23-6細(xì)型，TSOT-23-6供應(yīng)商器件封裝：TSMT6
