PSMN7R8-120ESQ參數(shù)：MOSFET N-CH 120V I2PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：-包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：120V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：70A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：7.9 毫歐 @ 25A， 10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：167nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：9473pF @ 60V功率 - 最大值：349W安裝類型：通孔封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA供應(yīng)商器件封裝：TO-262-3
