PSMN2R0-30YLE,115
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PSMN2R0-30YLE,115參數(shù)：MOSFET N-CH 30V LFPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
特色產(chǎn)品： LFPAKTrench6MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：100A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：2毫歐@25A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.15V@1mA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：87nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：5217pF@15V
功率-最大值：272W
安裝類型：表面貼裝
封裝：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供應(yīng)商器件封裝：LFPAK，Power-SO8