PSMN1R6-40YLC:115參數(shù)：MOSFET N-CH 40V POWERSO8-4
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,500系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：40V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：100A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.55 毫歐 @ 25A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.95V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：126nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：7790pF @ 20V功率 - 最大值：288W安裝類型：表面貼裝封裝：SOT1023，4-LFPAK供應(yīng)商器件封裝：LFPAK，Power-SO8
