PSMN102-200Y,115
PDF資料下載

PSMN102-200Y,115參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,500
系列：TrenchMOS™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：200V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：21.5A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：102 毫歐 @ 12A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：30.7nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1568pF @ 30V
功率 - 最大值：113W
安裝類型：表面貼裝
封裝：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供應(yīng)商器件封裝：LFPAK，Power-SO8