PSMN026-80YS,115參數(shù)：MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單特色產(chǎn)品： LFPAKTrench6MOSFETs標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,500系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：80V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：34A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：27.5毫歐@5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：20nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1200pF@40V功率-最大值：74W安裝類型：表面貼裝封裝：SC-100，SOT-669，4-LFPAK供應(yīng)商器件封裝：LFPAK，Power-SO8
