PHD21N06LT,118
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PHD21N06LT,118參數(shù)：MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：TrenchMOS™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss)：55V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：19A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：70 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：9.4nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：650pF @ 25V
功率 - 最大值：56W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：DPAK