NP83P04PDG-E1-AY參數(shù)：MOSFET P-CH -40V 83A TO-263
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：1系列：-包裝：剪切帶 (CT)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：40V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：83A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：5.3 毫歐 @ 41.5A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：200nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：9820pF @ 10V功率 - 最大值：1.8W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：TO-263
