NP82N06MLG-S18-AY
PDF資料下載

NP82N06MLG-S18-AY參數(shù)：MOSFET N-CH TO-220

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：900
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：82A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：7.4 毫歐 @ 41A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：160nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：8550pF @ 25V
功率 - 最大值：1.8W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應商器件封裝：TO-220-3