NP82N04PDG-E1-AY參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 82A TO-263
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：800系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：40V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：82A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：3.5 毫歐 @ 41A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：150nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：9000pF @ 25V功率 - 最大值：1.8W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：TO-263
