NP80N04PDG-E1B-AY參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 80A MP-25K
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：1,000系列：-包裝：*FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：40V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：80A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：4.5 毫歐 @ 40A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：135nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：6900pF @ 25V功率 - 最大值：1.8W安裝類型：*封裝：*供應商器件封裝：*