NP160N04TDG-E1-AY參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 160A TO-263
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：800系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：40V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：160A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：2 毫歐 @ 80A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：270nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：15750pF @ 25V功率 - 最大值：1.8W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片）供應(yīng)商器件封裝：TO-263-7
