NE58219-T1-A
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NE58219-T1-A參數(shù)：TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-RF 晶體管 (BJT)
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
晶體管類型：NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：12V
頻率 - 躍遷：5GHz
噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：-
增益：-
功率 - 最大值：100mW
不同?Ic、Vce?時(shí)的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：60 @ 5mA，5V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：60mA
安裝類型：表面貼裝
封裝：SC-75，SOT-416
供應(yīng)商器件封裝：3 針 SuperMiniMold (19)