NE3512S02-T1D-A參數(shù)：HJ-FET NCH 13.5DB S02
類別：分立半導體產(chǎn)品-RF FET標準包裝：10,000系列：-包裝：帶卷 (TR)晶體管類型：HFET頻率：12GHz增益：13.5dB電壓 - 測試：2V額定電流：70mA噪聲系數(shù)：0.35dB電流 - 測試：10mA功率 - 輸出：-電壓 - 額定：4V封裝：4-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝：S02
