NDS8858H參數(shù):MOSFET N+P 30V 4.8A 8-SOIC
類別:分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝:2,500系列:-包裝:帶卷 (TR)FET 類型:N 和 P 溝道FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):6.3A,4.8A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 4.8A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):30nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):720pF @ 15V功率 - 最大值:1W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)供應商器件封裝:8-SOIC N