NDD02N60Z-1G參數(shù)：MOSFET N-CH 600V IPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：75系列：-包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：600V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：2.2A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：4.8 歐姆 @ 1A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：10.1nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：274pF @ 25V功率 - 最大值：57W安裝類型：通孔封裝：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA供應(yīng)商器件封裝：I-Pak
