NDD02N60Z-1G
PDF資料下載

NDD02N60Z-1G參數：MOSFET N-CH 600V IPAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：75
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：2.2A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：4.8 歐姆 @ 1A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：10.1nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：274pF @ 25V
功率 - 最大值：57W
安裝類型：通孔
封裝：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
供應商器件封裝：I-Pak