NDC632P
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NDC632P參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 2.7A SSOT-6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2.7A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：140毫歐@2.7A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：15nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：550pF@10V
功率-最大值：800mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-23-6細型，TSOT-23-6
供應(yīng)商器件封裝：6-SSOT