NDB6030PL參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標(biāo)準(zhǔn)包裝：800系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：30A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：25毫歐@19A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：36nC@5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1570pF@15V功率-最大值：75W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：TO-263（D2Pak）
