MTM861280LBF參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 1A WSSMINI6-F1
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖： WSSMini6 MTM8612(7,8)0PinOut標(biāo)準(zhǔn)包裝：10,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：1A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：420毫歐@500mA，4V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.5V@1mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：80pF@10V功率-最大值：150mW安裝類型：表面貼裝封裝：WSS迷你型6-F1供應(yīng)商器件封裝：WS迷你型6-F1-B
