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MTD10N10ELT4參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence01/Jul/2005標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：10A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：220毫歐@5A，5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：15nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1040pF@25V功率-最大值：1.75W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：DPAK-3
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