MRF8S23120HSR3參數(shù)：MOSFET RF N-CH 120W NI-780S
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-RF FET標(biāo)準(zhǔn)包裝：250系列：-包裝：帶卷 (TR)晶體管類型：LDMOS頻率：2.3GHz增益：16dB電壓 - 測試：28V額定電流：-噪聲系數(shù)：-電流 - 測試：800mA功率 - 輸出：28W電壓 - 額定：65V封裝：NI-780S供應(yīng)商器件封裝：NI-780S
