IXTY26P10T參數(shù)：MOSFET P-CH 100V 26A TO-252
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準包裝：75系列：TrenchP™包裝：管件FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：26A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：90 毫歐 @ 13A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：52nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3820pF @ 25V功率 - 最大值：150W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：TO-252
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