IXTU01N100D參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：75系列：-包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：耗盡模式漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：100mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：80 歐姆 @ 50mA，0V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 25µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：120pF @ 25V功率 - 最大值：1.1W安裝類型：通孔封裝：TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB供應(yīng)商器件封裝：TO-251
