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IXTQ182N055T參數(shù)：MOSFET N-CH 55V 182A TO-3P
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNObsolescence： IXTSeries30/Oct/2012標(biāo)準(zhǔn)包裝：30系列：TrenchMV™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：55V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：182A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：5毫歐@25A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：114nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：4850pF@25V功率-最大值：360W安裝類型：通孔封裝：TO-3P-3，SC-65-3供應(yīng)商器件封裝：TO-3P
