IXTN32P60P參數(shù)：MOSFET P-CH 600V 32A SOT227
類別：半導(dǎo)體模塊-FET標(biāo)準(zhǔn)包裝：10系列：PolarP™包裝：管件FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：600V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：32A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：350 毫歐 @ 500mA，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：196nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：11100pF @ 25V功率 - 最大值：890W安裝類型：底座安裝封裝：SOT-227-4，miniBLOC供應(yīng)商器件封裝：SOT-227B
