IXTI10N60P
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IXTI10N60P參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品目錄繪圖： LeadedTO-263
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：PolarHV™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：600V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：10A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：740毫歐@5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@100µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：32nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1610pF@25V
功率-最大值：200W
安裝類型：通孔
封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商器件封裝：TO-263