IXFT18N100Q3參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：30系列：HiPerFET™包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：18A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：660 毫歐 @ 9A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：6.5V @ 4mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：90nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4890pF @ 25V功率 - 最大值：830W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA供應(yīng)商器件封裝：TO-268
