IXFN66N50Q2
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IXFN66N50Q2參數(shù)：MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B

類別：半導(dǎo)體模塊-FET
PCNObsolescence： IXF(K,N,R,X)66N50Q211/Oct/2011
標(biāo)準(zhǔn)包裝：10
系列：HiPerFET™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：500V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：66A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：80毫歐@500mA，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4.5V@8mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：199nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：6800pF@25V
功率-最大值：735W
安裝類型：底座安裝
封裝：SOT-227-4，miniBLOC
供應(yīng)商器件封裝：SOT-227B