IXFN160N30T參數(shù)：MOSFET N-CH 300V 130A SOT227
類別：半導(dǎo)體模塊-FET標(biāo)準(zhǔn)包裝：10系列：GigaMOS™包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：300V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：130A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：19 毫歐 @ 60A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 8mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：335nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：28000pF @ 25V功率 - 最大值：900W安裝類型：底座安裝封裝：SOT-227-4，miniBLOC供應(yīng)商器件封裝：SOT-227B
