IXFB62N80Q3
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IXFB62N80Q3參數(shù)：MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
特色產(chǎn)品： Q3-ClassHiPerFET?PowerMOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝：25
系列：HiPerFET™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：800V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：62A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：140毫歐@31A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：6.5V@8mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：270nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：13600pF@25V
功率-最大值：1560W
安裝類型：通孔
封裝：TO-264-3，TO-264AA
供應(yīng)商器件封裝：PLUS264?