IXFA3N120
PDF資料下載

IXFA3N120參數：MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：50
系列：HiPerFET™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：3A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：4.5 歐姆 @ 1.5A, 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：39nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1050pF @ 25V
功率 - 最大值：200W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：TO-263（D2Pak）