IXBN75N170參數(shù):IGBT BIMOSFET 1700V 145A SOT227B
類別:半導(dǎo)體模塊-IGBT標(biāo)準(zhǔn)包裝:10系列:BIMOSFET™IGBT 類型:-配置:?jiǎn)我?br>電壓 - 集射極擊穿(最大值):1700V不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on):3.1V @ 15V,75A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):145A電流 - 集電極截止(最大值):25µA不同?Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):6.93nF @ 25V功率 - 最大值:625W輸入:標(biāo)準(zhǔn)NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝:SOT-227-4,miniBLOC供應(yīng)商器件封裝:SOT-227B