IXBH42N170
PDF資料下載

IXBH42N170參數(shù)：IGBT 1700V 80A 360W TO247

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：BIMOSFET™
包裝：散裝
IGBT 類(lèi)型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1700V
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：2.8V @ 15V，42A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：80A
Current - Collector Pulsed (Icm)：300A
功率 - 最大值：360W
Switching Energy：-
輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：188nC
Td (on/off) A 25°C：-
Test Condition：-
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：1.32µs
封裝：TO-247-3
安裝類(lèi)型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TO-247AD