IRF7379參數(shù):MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOIC
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝:95系列:HEXFET®包裝:管件FET 類型:N 和 P 溝道FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss):30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):5.8A,4.3A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 5.8A,10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):25nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):520pF @ 25V功率 - 最大值:2.5W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)供應(yīng)商器件封裝:8-SO