IRF7343PBF
PDF資料下載

IRF7343PBF參數(shù)：MOSFET N+P 55V 3.4A 8-SOIC

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品培訓模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
設(shè)計資源： IRF7343TRPBFSaberModel IRF7343TRPBFSpiceModel
標準包裝：95
系列：HEXFET®
包裝：管件
FET類型：N和P溝道
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：55V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：4.7A，3.4A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：50毫歐@4.7A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：36nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：740pF@25V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應商器件封裝：8-SO