IRF7324D1PBF參數(shù):MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)標(biāo)準(zhǔn)包裝:95系列:FETKY™包裝:管件FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:二極管(隔離式)漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):2.2A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):270毫歐@1.2A,4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):700mV@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):7.8nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):260pF@15V功率-最大值:2W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm寬)供應(yīng)商器件封裝:8-SO